為了阻止荷蘭半導(dǎo)體巨頭阿斯麥爾(ASML)向中國公司出售光刻機(jī)的一筆1.5億美元交易，這屆美國政府可謂操碎了心。

去年6月，國務(wù)卿蓬佩奧就在訪問荷蘭期間要求盟友站隊(duì)。知情人士向路透社透露：蓬佩奧當(dāng)時(shí)要求荷蘭首相馬克·呂特阻止這筆交易，美國官員至少在四次會議中向荷蘭官員施壓。

7月呂特訪問華盛頓時(shí)，美國副國家安全顧問庫伯曼又給他一份情報(bào)報(bào)告，大談“中國獲得光刻機(jī)的可能后果”。隨后，荷蘭政府選擇不續(xù)簽ASML的出口許可。

知情人：特朗普政府強(qiáng)力施壓荷蘭取消向中國出售芯片設(shè)備 路透社

1月6日，路透社在報(bào)道中援引三名匿名知情人士稱，特朗普政府為“攪黃”ASML公司向中國公司出口極紫外光刻機(jī)(EUV)設(shè)備，從2018年起就開始對荷蘭政府廣泛施壓。

ASML是世界上最重要的半導(dǎo)體供應(yīng)商。光刻機(jī)則是半導(dǎo)體生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)最重要的核心部件，其關(guān)鍵技術(shù)一直被ASML公司壟斷。EUV光刻機(jī)則是該公司最先進(jìn)的設(shè)備。

2018年，荷蘭政府向ASML發(fā)放了出口許可證，允許其向一家中國公司出口一臺EUV光刻機(jī)，價(jià)值1.5億美元。

三名知情人士稱，美國立即“盯上了”這筆交易。接下來的幾個(gè)月里，美方官員至少四次與荷蘭官員開會，討論可否直接封殺這筆交易。

按照美國的出口管理?xiàng)l例，任何外國公司在向中國出口商品時(shí)，只要美國制造的零件占到25%價(jià)值，就必須向美國尋求出口許可證。

消息人士說，美國商務(wù)部對這臺出口光刻機(jī)進(jìn)行了審計(jì)，卻發(fā)現(xiàn)美國零件的價(jià)值占比不到25%，不符合管理?xiàng)l件。

而且從商業(yè)角度考慮，ASML公司希望也推進(jìn)這筆交易。2018年，來自中國公司訂單占據(jù)其營收總額近20%，超過美國公司的16%，僅次于韓國公司35%。

一計(jì)不成，特朗普政府只好以“國家安全”理由向荷蘭施壓。光刻機(jī)被列入涉及軍民兩用技術(shù)產(chǎn)品出口的《瓦森納協(xié)議》，荷蘭也是簽署國之一。

為此，2018年12月至2019年1月，美國國防部官員在荷蘭駐華盛頓大使館向?qū)Ψ接懻摿诉@筆交易的“安全風(fēng)險(xiǎn)”。

去年6月，美國國務(wù)卿蓬佩奧訪問荷蘭，一邊炒作中國“貿(mào)易不公”、5G的“安全問題”，一邊要求荷蘭等盟友站隊(duì)。

他在記者會上說：“我們的要求是，我們的盟友、伙伴和朋友不要做任何危及我們共同安全利益，或限制我們分享敏感信息能力的事情。”

雖然沒有明確提到光刻機(jī)，但知情人士稱，蓬佩奧在與荷蘭首相呂特會面中要求阻止這筆交易。后者在記者會上回應(yīng)，雖然荷蘭想要與盟國保持政策一致，但“每個(gè)國家都必須做出自己的安全決定”。

7月18日，呂特訪問華盛頓，期間白宮副國家安全顧問查爾斯·庫伯曼向他展示一份情報(bào)報(bào)告，內(nèi)容是所謂“中國獲得光刻機(jī)的可能后果”。

早在6月30日，ASML的許可證就已到期，通常需要8周時(shí)間進(jìn)行審批及續(xù)簽。但路透社稱，呂特訪問過后不久，荷蘭政府決定不再續(xù)簽這份許可證。ASML未出現(xiàn)在荷蘭外交部數(shù)據(jù)庫的續(xù)簽名單上。

荷蘭首相府發(fā)言人拒絕對此置評，稱政府不會討論單獨(dú)的許可證案例。白宮以及庫伯曼也沒有回應(yīng)置評。

11月6日，《日本經(jīng)濟(jì)評論》最先報(bào)道了相關(guān)交易因許可證問題被推遲發(fā)貨的消息，并認(rèn)為ASML成為美國政府壓力下的“犧牲品”。

公司發(fā)言人摩爾斯回應(yīng)，“延遲發(fā)貨”僅為媒體猜測，已經(jīng)申請了新的許可證，仍在等待獲批。

“公司遵守的法律。法律說你需要許可證才能出口EUV，我們已經(jīng)申請了許可證。”

但不論有沒有EUV光刻機(jī)，ASML預(yù)計(jì)2020年向中國出售其他產(chǎn)品，銷售額會繼續(xù)增長。路透社評論，此事顯示白宮對于阻止中國獲得先進(jìn)芯片制造能力有多么重視，也證明美國政府試圖單方面限制對中國出口先進(jìn)技術(shù)時(shí)，面臨著多么大的挑戰(zhàn)。

觀察者網(wǎng)專欄作者余鵬鯤曾提到，西方國家限制向中國出口光刻機(jī)，是我國境內(nèi)半導(dǎo)體工藝制程始終比境外落后1-2代甚至3代的主要原因。

去年4月，武漢光電國家研究中心甘棕松團(tuán)隊(duì)，采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠(yuǎn)場光學(xué)的辦法，光刻出最小9納米線寬的線段。該樣機(jī)實(shí)現(xiàn)了材料，軟件和零部件等三個(gè)方面的國產(chǎn)化，打破了三維微納光制造的國外技術(shù)壟斷。

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